Ein neuartiges Röntgenmikroskop mit Superauflösung, das von
einem Forscherteam des Paul Scherrer Instituts (PSI) und der ETH
Lausanne (EPFL) in der Schweiz entwickelt wurde, kombiniert die hohe
Durchdringungsleistung von Röntgenstrahlen mit einer hohen
bildlichen Auflösung und ermöglicht es somit erstmals, Licht
auf die detaillierten inneren Strukturen von Halbleiterbauelementen
oder Zellen zu werfen.
Die ersten Bilder in Superauflösung aus diesem neuartigen
Mikroskop werden am 18. Juli 2008 in der Fachzeitschrift Science
veröffentlicht.
Franz Pfeiffer, EPFL-Professor und Leiter des Forscherteams,
erläutert: "Seit vielen Jahren arbeiten Forscher an Konzepten
für ein Mikroskop mit Superauflösung mittels Elektronen und
Röntgenstrahlen. Nur der Bau eines speziellen Instruments im Wert
von mehreren Millionen Schweizer Franken an der Synchrotron Lichtquelle
Schweiz des PSI ermöglichte uns die Stabilität zu erreichen,
die für die Implementierung unserer neuen Methode in der Praxis
erforderlich ist."
Das neue Instrument setzt zudem den Megapixel-Detektor PILATUS ein,
dessen grosser Bruder ebenfalls am PSI entwickelt wurde und in
Kürze am Large Hadron Collider des CERN zum Einsatz kommen wird.
PILATUS begeistert die Synchroton-Fachwelt durch seine Fähigkeit,
Millionen einzelner Röntgenstrahlphotonen präzise zu
zählen. Diese spezielle Eigenschaft ermöglicht die
Aufzeichnung von detaillierten Beugungsbildern der Probe, während
sie im Fokus des Strahls mit dem Rasterscan-Verfahren untersucht wird.
Herkömmliche Transmissions-Rasterelektronenmikroskope messen im
Gegensatz dazu nur die gesamte, von der Probe absorbierte
Intensität.
Die Beugungsdaten werden anschliessend mit einem Algorithmus
verarbeitet, der von dem Schweizer Team entwickelt wurde. PSI-Forscher
Pierre Thibault, der Erstautor des Science-Artikels, erklärt: "Wir
haben einen Bildrekonstruktionsalgorithmus entwickelt, der die
zigtausend Beugungsbilder bearbeitet und sie zu einem
superaufgelösten Röntgentransmissionsmikroskopiebild
zusammenfügt. Damit die Bilder von höchster Genauigkeit sind,
berücksichtigt der Algorithmus nicht nur die Daten der Probe,
sondern auch die exakte Form des Lichtstrahls der auf die Probe trifft."
Herkömmliche Elektronenrastermikroskope liefern
hochauflösende Bilder von der Oberflächenstruktur eines
Untersuchungegenstands. Das neue Mikroskop mit Superauflösung des
Schweizer Teams kann jedoch tief in Halbleiterstrukturen oder
biologische Proben hineinsehen. Dadurch können bei Halbleitern
winzige Mängel, die bereits im Nanobereich liegen, entdeckt
werden, obwohl diese defekten Strukturen tief im Innern des Bauteils
versteckt sind. Die Analyse solcher Mängel, bei der der
Untersuchungsgegenstand übrigens nicht zerstört wird sondern
intakt bleibt, wird einen Beitrag zur Verbesserung der Qualität
von Halbleitern leisten, wo Strukturgrössen unter hundert
Nanometern zum Einsatz kommen. Ein weiteres, sehr vielversprechendes
Anwendungsgebiet für die neue Technik sind die
Lebenswissenschaften, wo die Durchdringungskraft der
Röntgenstrahlen zur Abbildung von detailierten Strukturen im
Inneren von Zellen bzw. Zellbestandteilen eingesetzt werden kann.
Schliesslich lässt sich das neuartige Mikroskopieverfahren auch
auf Elektronen- oder Lichtstrahlen übertragen und kann zur
Konzeption neuer und besserer Licht- und Elektronenmikroskope
herangezogen werden.
Literaturhinweis:
High-Resolution Scanning X-Ray Diffraction Microscopy, Pierre Thibault,
Martin Dierolf, Andreas Menzel, Oliver Bunk, Christian David, und Franz
Pfeiffer, Science, Vol 321 (2008).
Ansprechpartner:
Dr. Pierre Thibault, Forschungsassistent,
Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen PSI, Schweiz,
E-Mail: pierre.thibault@psi.ch; Telefon: +41 79 629 7063 [Englisch, Französisch]
Prof. Dr. Franz Pfeiffer, Leiter der Forschungsgruppe,
Paul Scherrer Institut, 5232 Villigen PSI, Schweiz,
E-Mail: franz.pfeiffer@epfl.ch; Telefon: +41 76 320 1045 [Englisch, Deutsch]