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STMicroelectronics, STATS ChipPAC und Infineon etablieren neuen Wafer-Level-Gehäusestandard
STMicroelectronics, STATS ChipPAC und Infineon haben eine Vereinbarung
über die gemeinsame Entwicklung der nächsten eWLB-Generation
(embedded Wafer-Level Ball Grid Array) unterzeichnet, die auf der
ersten Technologiegeneration von Infineon beruht.
ST und Infineon, zwei der weltweit führenden Halbleiterhersteller, kooperieren mit STATS ChipPAC, einem Technologieführer bei dreidimensionalen (3D) Gehäuse-Lösungen, um das volle Potenzial der bestehenden eWLB-Gehäusetechnologie von Infineon, welche von Infineon an ST und STATS ChipPAC lizenziert wurde, auszuschöpfen. Die Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten, deren Resultate allen beteiligten Firmen gleichermaßen gehören, fokussieren darauf, beide Seiten eines Wafers zu nutzen, um Lösungen für Halbleiterbausteine mit einem höheren Integrationsgrad und einer größeren Anzahl von Kontaktelementen zu bieten.
Die eWLB-Technologie nutzt eine Kombination von Frontend- und Backend-Halbleiterfertigungstechniken, wobei alle Chips auf dem Wafer parallel verarbeitet werden, was zu geringeren Fertigungskosten führt. Dies, zusammen mit dem höheren Integrationsgrad für das Silizium in dem komplett geschützten Gehäuse und der deutlich höheren Anzahl von externen Kontakten, ermöglicht Herstellern von leistungsfähigen drahtlosen und Konsumerprodukten signifikante Kosten- und Platzeinsparungen.
Die Entscheidung von ST an der Entwicklung dieser innovativen Technologie mit ihrem höheren Integrationsgrad mit Infineon zusammen zu arbeiten, ist ein wichtiger Schritt bei der Etablierung von eWLB als Industriestandard für kosteneffiziente und hoch integrierte Wafer-Level-Gehäuse. ST plant den Einsatz der Technologie in Produkten ihres ST-NXP Wireless Joint Venture und in anderen Applikationen. Erste Muster werden Ende 2008 erwartet, während die Serienproduktion für Anfang 2010 geplant ist.
„Die eWLB-Technologie ist eine ausgezeichnete Ergänzung für die nächste Generation unserer leistungsfähigen Produkte“, sagte Carlo Cognetti, Director, Advanced Packaging Technology, STMicroelectronics. „Sie markiert einen Meilenstein im Hinblick auf Innovation, Kosteneffizienz und Abmessungen. Wir sind davon überzeugt, dass wir gemeinsam mit Infineon damit den Weg hin zu einer neuen leistungsfähigen Gehäusetechnologie-Plattform weisen.“
„Wir begrüßen es sehr, dass ST sich für unsere eWLB-Technologie für seine IC-Gehäuse entschieden hat und werten diese Partnerschaft als Anerkennung für die Leistungsfähigkeit unserer Technologie“, sagte Wah Teng Gan, Vice President Assembly & Test bei Infineon Asia Pacific. „Mit ST als neuem Partner und STATS ChipPAC als renommiertem Technologieführer bei 3D-Gehäuse-Technologien, sehen wir einen Trend in der Gehäuse-Industrie hin zur energieeffizienten und leistungsfähigen eWLB-Technologie.“
„Wir freuen uns sehr darüber, dass sich Infineon und ST für STATS ChipPAC als gemeinsamen Entwicklungspartner entschieden haben, um die nächste Generation der eWLB-Technologie zu realiseren und Produkte der beiden eWLB-Generationen zu fertigen,“ sagte Dr. Han Byung Joon, Executive Vice President und Chief Technology Officer, STATS ChipPAC. „Die umfassende technische Expertise von Infineon und ST, in Kombination mit unserem Know-How bei der Integration und der Flexibilität auf Silizium-Ebene, sind die Grundlagen bei der Bereitstellung dieser bahnbrechenden Technologie.
Über das eWLB-Verfahren
Bei der eWLB-Technologie handelt es sich um eine zukunftsweisende Gehäuse-Technologie, die von Infineon im Herbst 2007 eingeführt wurde. Diese Technologie ermöglicht eine neue Generation von energieeffizienten, leistungsfähigen mobilen Geräten. Sie stellt eine Weiterentwicklung der WLB (Wafer-Level Ball Grid Array)-Technologie dar, wobei die bekannten Vorteile wie kostenoptimierte Produktion und exzellente Performance erweitert wurden: Alle Fertigungsschritte werden - wie bei WLBs - auf Wafer-Ebene ausgeführt. Damit können alle Chips auf dem Wafer jeweils in einem Schritt verarbeitet werden. Das ermöglicht eine neue Dimension bezüglich Integrationsgrad und Effizienz. Das spiegelt sich insbesondere im Hinblick auf die Reduzierung der Abmessungen um 30 Prozent im Vergleich zu konventionellen Leadframe-Laminat-Gehäusen und einer nahezu unbegrenzten Anzahl von Kontaktelementen wider.
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ST und Infineon, zwei der weltweit führenden Halbleiterhersteller, kooperieren mit STATS ChipPAC, einem Technologieführer bei dreidimensionalen (3D) Gehäuse-Lösungen, um das volle Potenzial der bestehenden eWLB-Gehäusetechnologie von Infineon, welche von Infineon an ST und STATS ChipPAC lizenziert wurde, auszuschöpfen. Die Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten, deren Resultate allen beteiligten Firmen gleichermaßen gehören, fokussieren darauf, beide Seiten eines Wafers zu nutzen, um Lösungen für Halbleiterbausteine mit einem höheren Integrationsgrad und einer größeren Anzahl von Kontaktelementen zu bieten.
Die eWLB-Technologie nutzt eine Kombination von Frontend- und Backend-Halbleiterfertigungstechniken, wobei alle Chips auf dem Wafer parallel verarbeitet werden, was zu geringeren Fertigungskosten führt. Dies, zusammen mit dem höheren Integrationsgrad für das Silizium in dem komplett geschützten Gehäuse und der deutlich höheren Anzahl von externen Kontakten, ermöglicht Herstellern von leistungsfähigen drahtlosen und Konsumerprodukten signifikante Kosten- und Platzeinsparungen.
Die Entscheidung von ST an der Entwicklung dieser innovativen Technologie mit ihrem höheren Integrationsgrad mit Infineon zusammen zu arbeiten, ist ein wichtiger Schritt bei der Etablierung von eWLB als Industriestandard für kosteneffiziente und hoch integrierte Wafer-Level-Gehäuse. ST plant den Einsatz der Technologie in Produkten ihres ST-NXP Wireless Joint Venture und in anderen Applikationen. Erste Muster werden Ende 2008 erwartet, während die Serienproduktion für Anfang 2010 geplant ist.
„Die eWLB-Technologie ist eine ausgezeichnete Ergänzung für die nächste Generation unserer leistungsfähigen Produkte“, sagte Carlo Cognetti, Director, Advanced Packaging Technology, STMicroelectronics. „Sie markiert einen Meilenstein im Hinblick auf Innovation, Kosteneffizienz und Abmessungen. Wir sind davon überzeugt, dass wir gemeinsam mit Infineon damit den Weg hin zu einer neuen leistungsfähigen Gehäusetechnologie-Plattform weisen.“
„Wir begrüßen es sehr, dass ST sich für unsere eWLB-Technologie für seine IC-Gehäuse entschieden hat und werten diese Partnerschaft als Anerkennung für die Leistungsfähigkeit unserer Technologie“, sagte Wah Teng Gan, Vice President Assembly & Test bei Infineon Asia Pacific. „Mit ST als neuem Partner und STATS ChipPAC als renommiertem Technologieführer bei 3D-Gehäuse-Technologien, sehen wir einen Trend in der Gehäuse-Industrie hin zur energieeffizienten und leistungsfähigen eWLB-Technologie.“
„Wir freuen uns sehr darüber, dass sich Infineon und ST für STATS ChipPAC als gemeinsamen Entwicklungspartner entschieden haben, um die nächste Generation der eWLB-Technologie zu realiseren und Produkte der beiden eWLB-Generationen zu fertigen,“ sagte Dr. Han Byung Joon, Executive Vice President und Chief Technology Officer, STATS ChipPAC. „Die umfassende technische Expertise von Infineon und ST, in Kombination mit unserem Know-How bei der Integration und der Flexibilität auf Silizium-Ebene, sind die Grundlagen bei der Bereitstellung dieser bahnbrechenden Technologie.
Über das eWLB-Verfahren
Bei der eWLB-Technologie handelt es sich um eine zukunftsweisende Gehäuse-Technologie, die von Infineon im Herbst 2007 eingeführt wurde. Diese Technologie ermöglicht eine neue Generation von energieeffizienten, leistungsfähigen mobilen Geräten. Sie stellt eine Weiterentwicklung der WLB (Wafer-Level Ball Grid Array)-Technologie dar, wobei die bekannten Vorteile wie kostenoptimierte Produktion und exzellente Performance erweitert wurden: Alle Fertigungsschritte werden - wie bei WLBs - auf Wafer-Ebene ausgeführt. Damit können alle Chips auf dem Wafer jeweils in einem Schritt verarbeitet werden. Das ermöglicht eine neue Dimension bezüglich Integrationsgrad und Effizienz. Das spiegelt sich insbesondere im Hinblick auf die Reduzierung der Abmessungen um 30 Prozent im Vergleich zu konventionellen Leadframe-Laminat-Gehäusen und einer nahezu unbegrenzten Anzahl von Kontaktelementen wider.
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