NEWS
-
Siltronic und Qimonda erforschen Grundlagen für neuartige Transistor-Technologie
Siltronic, Hersteller von Siliciumwafern, und die Qimonda starten eine
Kooperation im Rahmen des Verbundprojektes "Silicium-basierte
Grundmaterialien für 3-dimensionale Transistoren" (SIGMADT). Es
wird vom Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) mit
6,5 Millionen Euro gefördert.
Die Partner erforschen dabei gemeinsam die Grundlagen für die übernächste Generation integrierter elektronischer Bauelemente, beispielsweise für Anwendungen im Bereich der DRAM-Datenspeicher. Das stärkt die Kompetenz der sächsischen Mikroelektronikstandorte Dresden und Freiberg insbesondere in den Bereichen Halbleitertechnologie und Materialwissenschaft. Das im Rahmen der Hightech-Strategie der Bundesregierung geförderte Projekt SIGMADT ermöglicht den Partnern eine frühzeitige Kooperation in einem strategischen Forschungsbereich und somit die Chancen, hier einen Wettbewerbsvorteil für die Region herauszuarbeiten.
Bei zukunftsweisenden Siliciumbauelementen zeichnet sich ein Übergang von 2-dimensionalen zu 3-dimensionalen Transistoren ab. Dadurch soll es möglich werden, zukünftigen Anforderungen (z. B. geringerer Stromverbrauch und höhere Leistungsfähigkeit) an neue Bauelemente bei zunehmend kleinerer Strukturgröße gerecht zu werden. Ziel der gemeinsamen Grundlagenforschung ist es, die Eigenschaften des Siliciumwafers auf die Anforderungen zukünftiger 3-dimensionale Transistoren optimal abzustimmen.
Darüber hinaus werden neue Prozesse zur Herstellung zukünftiger Waferscheiben und Transistoren erarbeitet, da die 3-D-Technologie bisher ungekannte Anforderungen, beispielsweise an die Ebenheit der Wafer, stellt.
Die Partner erforschen dabei gemeinsam die Grundlagen für die übernächste Generation integrierter elektronischer Bauelemente, beispielsweise für Anwendungen im Bereich der DRAM-Datenspeicher. Das stärkt die Kompetenz der sächsischen Mikroelektronikstandorte Dresden und Freiberg insbesondere in den Bereichen Halbleitertechnologie und Materialwissenschaft. Das im Rahmen der Hightech-Strategie der Bundesregierung geförderte Projekt SIGMADT ermöglicht den Partnern eine frühzeitige Kooperation in einem strategischen Forschungsbereich und somit die Chancen, hier einen Wettbewerbsvorteil für die Region herauszuarbeiten.
Bei zukunftsweisenden Siliciumbauelementen zeichnet sich ein Übergang von 2-dimensionalen zu 3-dimensionalen Transistoren ab. Dadurch soll es möglich werden, zukünftigen Anforderungen (z. B. geringerer Stromverbrauch und höhere Leistungsfähigkeit) an neue Bauelemente bei zunehmend kleinerer Strukturgröße gerecht zu werden. Ziel der gemeinsamen Grundlagenforschung ist es, die Eigenschaften des Siliciumwafers auf die Anforderungen zukünftiger 3-dimensionale Transistoren optimal abzustimmen.
Darüber hinaus werden neue Prozesse zur Herstellung zukünftiger Waferscheiben und Transistoren erarbeitet, da die 3-D-Technologie bisher ungekannte Anforderungen, beispielsweise an die Ebenheit der Wafer, stellt.
Weitere Artikel in dieser Rubrik:
 | |||
| |||
 |
PRODUKTINNOVATION |
|
|
| |||
| |||
| |||
| |||
 |
ANALYSE-MÄRKTE-TRENDS |
|
|
| |||
| |||
| |||
| |||
|
NEWS |
|
|
| |||
| |||
zurück
top
Das offizielle Karriereportal